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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM5328100CK |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4，4K/2K刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 8/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商： | KMM5328100CK |
DRAM MODULE
KMM5328100CK/CKG
KMM5328000CK/CKG
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RP
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CP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| KMM5328000CKG | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5328004BSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM5361205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
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