- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374365 > KMM5328100CK (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM5328100CK |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4，4K/2K刷新，5V的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/15頁(yè) |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | KMM5328100CK |
第1頁(yè)當(dāng)前第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)
DRAM MODULE
KMM5328100CK/CKG
KMM5328000CK/CKG
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
W
A0-A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
CAS
RAS
OE
W
A0-
A11(A10)
DQ0-DQ3
DQ4-DQ7
DQ8-DQ11
DQ12-DQ15
DQ16-DQ19
DQ20-DQ23
DQ24-DQ27
DQ28-DQ31
RAS1
CAS0
RAS0
CAS1
CAS2
CAS3
U0
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
U8
U9
U10
U11
U12
U13
U14
U15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5328000BSW | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328100CKG | IND 4922-31L API DELEVAN T/R 1 |
| KMM5328000CKG | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5328004BSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5328100CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5361203C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361203C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。