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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM5328100CK |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 8米× 32的DRAM上海藥物研究所利用4Mx4，4K/2K刷新，5V的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商： | KMM5328100CK |
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DRAM MODULE
KMM5328100CK/CKG
KMM5328000CK/CKG
PACKAGE DIMENSIONS
.133(3.38)
4.250(107.95)
3.984(101.19)
.125(3.17)
MIN
R.062
±
.004(R1.57
±
.10)
.250(6.35)
3.750(95.25)
.250(6.35)
Units : Inches (millimeters)
Gold & Solder Plating Lead
.010(.25)MAX
.050(1.27)
.041
±
.004(1.04
±
.10)
.100(2.54)
MIN
.350(8.89)
MAX
.054(1.37)
.047(1.19)
Tolerances :
±
.005(.13) unless otherwise specified
NOTE : The used device are 4Mx4 F/P DRAM, SOJ
DRAM Part No. : KMM5328000CK/CKG -- KM44C4000CK (300mil)
KMM5328100CK/CKG -- KM44C4100CK (300mil)
1.00(25.40)
.400(10.16)
.125 DIA
±
.002(3.18
±
.051)
R.062(1.57)
.250(6.35)
.080(2.03)
( Back view )
( Front view )
Revision History
Rev 0.0 : Aug. 1997
.225(5.71)
MIN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5328000BSW | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328100CKG | IND 4922-31L API DELEVAN T/R 1 |
| KMM5328000CKG | 8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5328004BSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5328004CSWG | 8M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM5328100CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5361203C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361203C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| KMM5361205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
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