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參數(shù)資料
| 型號： | KMB7D0NP30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N and P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | N和P通道溝道MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 509K |
| 代理商： | KMB7D0NP30QA |
2007. 6. 28
6/9
KMB7D0NP30QA
Revision No : 2
Fig5. R
DS(ON)
- Tj
N
Junction Temperture Tj ( )
-75
-50
0.8
0.0
1.0
1.8
2.2
0.4
1.4
0
50
100
-25
25
75
125
150
V
GS
= -10V
I
D
= -5A
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
C
Fig6. C - V
DS
-25
-10
-15
0
-5
-20
-30
0
200
600
1200
1000
800
400
Coss
Ciss
Crss
P-Channel
Gate - Source Voltage V
GS
(V)
Fig1. I
D
- V
DS
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
0
0
-16
-20
-4
-12
-8
0
-5
-10
-20
-15
-25
-2
-5
-6
-4
-3
1
0
-4.0
-4.8
-2.4
-0.8
-1.6
-3.2
Fig2. I
D
- V
GS
D
D
D
D
V
GS
= -10,-9,-8,-7,-6,-5V
V
GS
= -4V
Tj= -55
C
Tj=125
C
V
GS
= -3V
Tj=25
C
Fig4. I
DR
- V
SD
R
D
(
-1.0
-10
-20
-0.8
-1.4
-1.2
-0.6
-1.0
-0.4
Source - Drain Voltage V
SD
(V)
N
t
Fig3. V
th
- Tj
-75
-50
-25
0.6
0.8
0.4
1.6
1.0
1.4
1.2
0
50
100
25
150
125
75
Junction Temperature Tj ( )
V
DS
= V
GS
I
D
= -250
μ
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMM332V204BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊) |
| KMM350S823BT1 | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB7D0NP30QA_11 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D6NP30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
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