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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMB7D0NP30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N and P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | N和P通道溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大小： | 509K |
| 代理商： | KMB7D0NP30QA |
2007. 6. 28
2/9
KMB7D0NP30QA
Revision No : 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
I
D
=250 A, V
GS
=0V,
N-Ch
30
-
-
V
I
D
=-250 A, V
GS
=0V,
P-Ch
-30
-
-
Drain Cut-off Current
I
DSS
V
GS
=0V, V
DS
=24V
N-Ch
-
-
1
A
V
GS
=0V, V
DS
=-24V
P-Ch
-
-
-1
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
22V, V
DS
=0V
N-Ch
-
-
100
nA
P-Ch
-
-
100
Gate Threshold Voltage
V
th
V
DS
=V
GS,
I
D
=250 A
N-Ch
1.0
-
3
V
V
DS
=V
GS,
I
D
=-250 A
P-Ch
-1.0
-
-3
Drain-Source ON Resistance
R
DS(ON)
*
V
GS
=10V, I
D
=7A
N-Ch
-
18
23.5
m
V
GS
=-10V, I
D
=-5A
P-Ch
-
35
45.5
V
GS
=4.5V, I
D
=6A
N-Ch
-
30
39
V
GS
=-4.5V, I
D
=-4A
P-Ch
-
62
80
ON State Drain Current
I
D(ON)
*
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
N-Ch
20
-
-
A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
P-Ch
-20
-
-
Forward Transconductance
g
fs
*
V
DS
=5V, I
D
=6.6A
N-Ch
-
10
-
S
V
DS
=-5V, I
D
=-5A
P-Ch
-
9
-
Source-Drain Diode Forward
Voltage
V
SD
*
I
S
=1.7A, V
GS
=0V
N-Ch
-
0.7
1.2
V
I
S
=-1.7A, V
GS
=0V
P-Ch
-
-0.8
-1.2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMM332V204BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM350S823BT1 | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB7D0NP30QA_11 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D6NP30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
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