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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMB7D0NP30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N and P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | N和P通道溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | KMB7D0NP30QA |
2007. 6. 28
5/9
KMB7D0NP30QA
Revision No : 2
Gate - Charge
Qg
(nC)
0
12
10
6
2
4
8
6
14
2
12
10
8
16
18
4
0
Fig7. Qg - V
GS
G
G
V
DS
=15V
I
D
= 6.6A
Square Wave Pulse Duration (sec)
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
Fig9. Transient Thermal Response Curve
t
1
t
2
P
DM
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
θ
JA
= 62.5
C/W
t
1
t
2
0.02
0.1
0.2
Duty Cycle = 0.5
0.05
D
D
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
Fig8. Safe Operation Area
10
1
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
0
10
2
V
= 10V
SINGLE PULSE
1ms
10ms
1s
DC
100ms
Single Pluse
10
-2
10
-1
10
0
N
Operation in this
area is limited by R
DS(ON)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMM332V204BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM350S823BT1 | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB7D0NP30QA_11 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D6NP30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
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