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參數(shù)資料
| 型號： | KMB7D0NP30QA |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | N and P-Ch Trench MOSFET |
| 中文描述： | N和P通道溝道MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | KMB7D0NP30QA |
2007. 6. 28
4/9
KMB7D0NP30QA
Revision No : 2
Gate - Source Voltage V
GS
(V)
Fig1. I
D
- V
DS
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
0
0
12
16
8
4
20
0
10
15
5
20
25
1
6
5
3
2
4
0
1.6
4.8
3.2
0.8
2.4
4.0
Fig2. I
D
- V
GS
Fig3. Vth - Tj
Fig5. R
DS(ON)
- Tj
-75
-50
-25
0.6
0.4
0.8
1.6
1.0
1.2
1.4
0
50
25
100
150
75
125
D
D
D
D
Fig4. I
DR
- V
SD
1
10.0
20.0
0.6
1.0
1.4
1.2
0.8
0.4
0
0
25
-25
50
-75
-50
100
150
125
75
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5V
1.4
0.6
0.4
1.0
1.8
2.2
N
R
D
N
Junction Temperature Tj ( )
Source - Drain Voltage V
SD
(V)
Junction Temperture Tj ( )
C
V
GS
= 3V
V
GS
= 4V
T
j
= 125
C
V
GS
= 10V
I
D
= 6.6A
V
DS
= V
GS
I
DS
= 250
μ
A
Fig6. C - V
DS
Drain - Source Voltage V
DS
(V)
C
0
200
600
800
1000
1200
400
1600
1800
1400
0
20
10
5
25
15
30
Ciss
Coss
Crss
N-Channel
T
j
= 25
C
T
j
= -55
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMB7D1DP30QA | Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB8D2N60QA | N-Ch Trench MOSFET |
| KMM332V204BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(2M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM332V224BT-L | 2M x 32 DRAM SODIMM(動態(tài) RAM模塊) |
| KMM350S823BT1 | 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMB7D0NP30QA_11 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N and P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D1DP30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Dual P-Ch Trench MOSFET |
| KMB7D6NP30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30Q | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FLP-8 PACKAGE |
| KMB8D0P30QA | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:P-Ch Trench MOSFET |
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