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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00S003M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 78/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1808K |
| 代理商： | KBE00S003M-D411 |
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MCP MEMORY
78
KBE00S003M-D411
Revision 1.0
May 2005
0
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CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Ra
Row Active
Read
Write
DQM
*NOTE:
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA0
DQM
DQ
*Note 1
Ca
Qb0
Qb1
Dc0
Dc2
Clock
Suspension
Write
Cb
Ra
t
SHZ
t
SHZ
Read
Clock
Suspension
Write
DQM
Read DQM
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Cc
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ401G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ402G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ404G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
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