- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373103 > KBE00S003M-D411 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KBE00S003M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 76/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1808K |
| 代理商： | KBE00S003M-D411 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁當(dāng)前第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁
MCP MEMORY
76
KBE00S003M-D411
Revision 1.0
May 2005
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
CL=3
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Read & Write Cycle with Auto Precharge I @Burst Length=4
HIGH
RAa
RAa
CL=2
Row Active
(A-Bank)
Read with
Auto Pre
charge
(A-Bank)
Precharge
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
*NOTE:
1. When Read(Write) command with auto precharge is issued at A-Bank after A and B Bank activation.
- if Read(Write) command without auto precharge is issued at B-Bank before A-Bank auto precharge starts, A-Bank
auto precharge will start at B-Bank read command input point .
- any command can not be issued at A-Bank during t
RP
after A-Bank auto precharge starts.
BA0
DQM
DQ
Read without Auto
Precharge(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
*Note1
RBb
RAc
CAc
CAa
CBb
RBb
DAc0
DAc0
Row Active
(B-Bank)
Write with
Auto Precharge
(A-Bank)
QAa1
QAa0
QBb0 QBb1
DBb3
QBb2
QAa1
QAa0
QBb0 QBb1
DBb3
QBb2
DAc1
DAc1
RAc
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ401G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ402G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ404G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。