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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00S003M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND * 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 52/86頁 |
| 文件大小： | 1808K |
| 代理商： | KBE00S003M-D411 |
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MCP MEMORY
52
KBE00S003M-D411
Revision 1.0
May 2005
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
A0
0
0
0
1
2
3
0
1
2
3
0
1
1
2
3
0
1
0
3
2
1
0
2
3
0
1
2
3
0
1
1
1
3
0
1
2
3
2
1
0
2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
Interleave
A2
A1
A0
0
0
0
0
1
2
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1
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ401G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ402G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ404G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng):628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強(qiáng)度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
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