- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374300 > K9XXG08UXM-K (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K9XXG08UXM-K |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/39頁 |
| 文件大小： | 680K |
| 代理商： | K9XXG08UXM-K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當(dāng)前第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
FLASH MEMORY
30
K9W4G08U1M
K9K2G08U0M
K9W4G16U1M
K9K2G16Q0M
K9K2G16U0M
K9K2G08Q0M
4th ID Data
Description
I/O7
I/O6
I/O5 I/O4 I/O3
I/O2
I/O1 I/O0
Page Size
(w/o redundant area )
1KB
2KB
Reserved
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Blcok Size
(w/o redundant area )
64KB
128KB
256KB
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Redundant Area Size
( byte/512byte)
8
16
0
1
Organization
x8
x16
0
1
Serial Access minimum
50ns
30ns
Reserved
Reserved
0
0
1
1
0
1
0
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9XXG08UXM-P | SSR H/S ZS 600V 70A 4-32VDC |
| K9XXG08UXM-Y | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG16UXM-E | SSR H/S IO 230V 20A 4-32VDC |
| K9XXG16UXM-K | SSR H/S PS 230V 50A 4-20MA E |
| K9XXG16UXM-P | Multi-function, zero cross and proportional output SSR with integrated heat sink. 2-wire Modbus input, 230VAC, 50A single phase output. |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9XXG08UXM-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG08UXM-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG08XXA-XCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Preliminary FLASH MEMORY |
| K9XXG08XXA-XIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Preliminary FLASH MEMORY |
| K9XXG16UXM-E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。