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參數(shù)資料
| 型號： | K9XXG08UXM-K |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 680K |
| 代理商： | K9XXG08UXM-K |
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FLASH MEMORY
29
K9W4G08U1M
K9K2G08U0M
K9W4G16U1M
K9K2G16Q0M
K9K2G16U0M
K9K2G08Q0M
Read ID Operation
CE
CLE
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code Device Code
00h
ECh
Device
Code*
t
REA
Address. 1cycle
XXh
4th cyc.*
ID Defintition Table
90 ID : Access command = 90H
Description
1
st
Byte
2
nd
Byte
3
rd
Byte
4
th
Byte
Maker Code
Device Code
Don’t care
Page Size, Block Size, Spare Size, Organization
I/Ox
t
AR
Device
Device Code*(2nd Cycle)
4th Cycle*
K9K2G08Q0M
AAh
15h
K9K2G08U0M
DAh
15h
K9K2G16Q0M
BAh
55h
K9K2G16U0M
CAh
55h
K9W4G08U1M
Same as each K9K2G08U0M in it
K9W4G16U1M
Same as each K9K2G16U0M in it
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9XXG08UXM-P | SSR H/S ZS 600V 70A 4-32VDC |
| K9XXG08UXM-Y | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG16UXM-E | SSR H/S IO 230V 20A 4-32VDC |
| K9XXG16UXM-K | SSR H/S PS 230V 50A 4-20MA E |
| K9XXG16UXM-P | Multi-function, zero cross and proportional output SSR with integrated heat sink. 2-wire Modbus input, 230VAC, 50A single phase output. |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9XXG08UXM-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG08UXM-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9XXG08XXA-XCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Preliminary FLASH MEMORY |
| K9XXG08XXA-XIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Preliminary FLASH MEMORY |
| K9XXG16UXM-E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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