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參數(shù)資料
| 型號： | K5A3280YTC-T855 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MCP MEMORY |
| 中文描述： | MCP的記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 43/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | K5A3280YTC-T855 |
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MCP MEMORY
K5A3x80YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 43 -
Preliminary
SRAM TIMING DIAGRAMS
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS1
S
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS1
S
Controlled)
Address
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
High-Z
High-Z
Data Valid
t
AS(3)
CS2
S
CS1
S
CS2
S
t
CW(2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3380YBC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YBC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3X80YTC | MCP MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K5A3340YBC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YBC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
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