- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374284 > K5A3280YTC-T855 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) MCP MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K5A3280YTC-T855 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MCP MEMORY |
| 中文描述： | MCP的記憶 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 38/45頁(yè) |
| 文件大小： | 625K |
| 代理商： | K5A3280YTC-T855 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)當(dāng)前第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)
MCP MEMORY
K5A3x80YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 38 -
Preliminary
Toggle Bit During Internal Routine Operation
Flash SWITCHING WAVEFORMS
t
DH
CE
F
Address*
OE
DQ6/DQ2
WE
RY/BY
Data In
t
AHT
t
AHT
t
ASO
t
AS
t
CEPH
t
OEH2
t
OEPH
Status
Data
t
OE
Status
Data
Status
Data
Array Data Out
NOTE:
Address for the write operation must include a bank address (A19~A20) where the data is written.
DQ
6
WE
DQ
2
Enter
Embedded
Erasing
Erase
Suspend
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Resume
Erase
Erase Suspend
Read
Erase
Erase
Complete
Erase Suspend
Read
NOTE:
DQ2 is read from the erase-suspended block.
Toggle
DQ
2
and DQ
6
with OE or CE
F
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Output Enable Access Time
t
OE
-
25
-
25
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
ns
Address Hold Time
t
AHT
0
-
0
-
ns
Address Setup
t
ASO
55
-
55
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
ns
CE
F
High during toggle bit polling
t
CEPH
20
-
20
-
ns
OE High during toggle bit polling
t
OEPH
20
-
20
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3380YBC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YBC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3X80YTC | MCP MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K5A3340YBC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YBC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。