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參數(shù)資料
| 型號： | K5A3280YTC-T855 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MCP MEMORY |
| 中文描述： | MCP的記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 3/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | K5A3280YTC-T855 |
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MCP MEMORY
K5A3x80YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 3 -
Preliminary
ORDERING INFORMATION
K 5 A 3 x 8 0 Y T C - T 7 5 5
Samsung
MCP Memory
Device Type
Dual Bank Boot Block NOR
+ fCMOS SRAM
NOR Flash Density
(Bank Size), (Organization)
32
: 32Mbit, (8Mb, 24Mb)
(x8/x16 Selectable)
33
: 32Mbit, (16Mb, 16Mb)
(x8/x16 Selectable)
Block Architecture
T = Top Boot Block
B = Bottom Boot Block
Version
C = 4th Generation
SRAM Access Time
55 = 55 ns
Operating Voltage Range
2.7V to 3.3V
Package
T = 69 TBGA
SRAM Density , Organization
8Mbit, x8/x16 Selectable
Bottom Boot Block
Figure 1. FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Precharge circuit.
I/O Circuit
Column select
Clk gen.
Row
select
Data
control
Control
logic
SRAM
(512K x16, 1M x8)
Main Cell Array
(A0 to A18
A-1,A19 to A20
CE
F
OE
UB
LB
CS1
S
CS2
S
DQ
0
to DQ
7
DQ
8
to DQ
15
Vcc
S
Vss
WE
Vcc
F
Vss
RESET
RD/BY
I/O
Interface
&
Bank
Control
X
Dec
Y Dec
Control
Latch &
Dec
X
Y Dec
Erase
Control
VGen.
CBank2
Bank1
Address
Bank2
Address
Bank1 Data-In/Out
Bank2 Data-In/Out
CBank1
BYTE
F
BYTE
S
SA
Flash Access Time
7 = 70 ns
8 = 80 ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3380YBC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YBC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3X80YTC | MCP MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K5A3340YBC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YBC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
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