- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374284 > K5A3280YTC-T855 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) MCP MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K5A3280YTC-T855 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MCP MEMORY |
| 中文描述： | MCP的記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 33/45頁 |
| 文件大小： | 625K |
| 代理商： | K5A3280YTC-T855 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁
MCP MEMORY
K5A3x80YT(B)C
Revision 0.0
November 2002
- 33 -
Preliminary
Alternate CE
F
Controlled Program Operations
Flash SWITCHING WAVEFORMS
NOTES:
1. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.
2. DOUT is the output of the data written to the device.
3. PA : Program Address, PD : Program Data
4. The illustration shows the last two cycles of the program command sequence.
OE
Address
WE
DATA
CE
F
t
AH
t
AS
t
DS
t
DH
t
CP
t
OES
A0H
555H
PA
PA
Status
DOUT
Data Polling
t
CPH
t
WS
t
PGM
RY/BY
t
BUSY
t
RB
PD
t
WC
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
t
WC
70
-
80
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
ns
Address Hold Time
t
AH
45
-
45
-
ns
Data Setup Time
t
DS
35
-
35
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
ns
OE Setup Time
t
OES
0
-
0
-
ns
WE Setup Time
t
WS
0
-
0
-
ns
WE Hold Time
t
WH
0
-
0
-
ns
CE
F
Pulse Width
t
CP
35
-
35
-
ns
CE
F
Pulse Width High
t
CPH
25
-
25
-
ns
Programming Operation
Word
t
PGM
14(typ.)
14(typ.)
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
Byte
9(typ.)
9(typ.)
Accelerated Programming Operation
Word
t
ACCPGM
9(typ.)
9(typ.)
Byte
7(typ.)
7(typ.)
Program/Erase Valide to RY/BY Delay
t
BUSY
90
-
90
-
ns
Recovery Time from RY/BY
t
RB
0
-
0
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3380YBC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YBC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3380YTC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3X80YTC | MCP MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K5A3340YBC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YBC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T755 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
| K5A3340YTC-T855 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。