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參數(shù)資料
| 型號： | K4J55323QF-GC20 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 32/49頁 |
| 文件大小： | 1027K |
| 代理商： | K4J55323QF-GC20 |
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- 32 -
256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
Bank a,
Col b
t
DQSS
NOP
T4n
T5n
T6
DQ
DM
DI
WDQS
DI
DI
t
DQSS
(NOM)
DQ
DM
WDQS
t
DQSS
(MIN)
DQ
DM
WDQS
t
DQSS
(MAX)
t
DQSS
t
DQSS
WRITE Burst
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. A burst of 4 is shown.
4. A8 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
5. Write latency is set to 4
DI
DI
DI
DI
DI
DI
DI
DI
DI
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M51163LE | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-F | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-L | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-YC | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M51163LE-YF1L | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J55323QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG-BC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
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