參數(shù)資料
型號： K4J55323QF-GC20
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit GDDR3 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR3 SDRAM的
文件頁數(shù)： 30/49頁
文件大?。?/td> 1027K
代理商： K4J55323QF-GC20
- 30 -
256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
READ to PRECHARGE
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
NOP
NOP
PRE
NOP
ACT
READ
T0
T1
T2
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
n
Bank a
T9n
Bank a,
Row
t
RP
1. DO
n
(or
b
) = data-out from column
n
(or column
b
).
2. Burst length = 4
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
n.
4. Read to precharge equals two clocks, which enables two data pairs of data-out.
5. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
6. Example applies when READ commands are issued to different devices or nonconsecutive READs.
7. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
～～
～
～～
～
～
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PDF描述
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