- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374256 > K4E661611D (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out PDF資料下載
參數資料
| 型號： | K4E661611D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數據輸出 |
| 文件頁數： | 18/36頁 |
| 文件大小： | 882K |
| 代理商： | K4E661611D |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
RCD
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
Don
′
t care
UPPER BYTE WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
Undefined
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
t
CRP
t
RWL
t
WP
t
CWL
t
DS
t
DH
DATA-IN
t
OEH
t
OED
DQ0 ~ DQ7
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661611D-TC50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4E661611D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。