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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E661611D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/36頁(yè) |
| 文件大小： | 882K |
| 代理商： | K4E661611D |
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CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
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A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
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CRP
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RP
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UPPER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
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LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
WCS
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WCH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA-IN
t
CRP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661611D-TC50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E661611D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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