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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661611D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 12/36頁 |
| 文件大小： | 882K |
| 代理商： | K4E661611D |
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CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
NOTE : D
IN
= OPEN
UPPER BYTE READ CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
LCAS
V
IH
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A
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IH
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W
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-
V
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-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
COLUMN
ADDRESS
ROW
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OH
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V
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-
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
t
RPC
t
RCS
t
OLZ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661611D-TC50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641611D-TC60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612B-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E661611D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612B-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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