參數(shù)資料
型號： K4E661611D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁數(shù)： 10/36頁
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代理商： K4E661611D
CMOS DRAM
K4E661611D,
K4E641611D
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E661611D-TC50 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661611D-TC60 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641611D-TC60 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612B-L 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4E661611D-TC50 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661611D-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612B-L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612B-TC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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