參數(shù)資料
型號(hào)： IRGP30B60KD-E
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大小： 603K
代理商： IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E
www.irf.com
9
Fig 25.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Fig 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.200 0.000428
0.209 0.013031
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.205 0.000136
0.505 0.001645
0.567 0.037985
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF PDP TRENCH IGBT
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參數(shù)描述
IRGP30B60KD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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