參數(shù)資料
型號(hào): IRGP30B60KD-E
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 603K
代理商: IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 30A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
F
= 30A; T
J
= 150°C
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IR
0
20
40
60
80
IF (A)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IR
RG =
4.7
RG =
22
RG =
47
RG =
100
RG =
10
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
1000
2000
3000
4000
5000
QR
4.7
47
100
22
60A
30A
15A
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF PDP TRENCH IGBT
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參數(shù)描述
IRGP30B60KD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B60KD-MP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK-247 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR OTHER 制造商:International Rectifier 功能描述:600V UltraFast 5-40kHz Copack IGBT
IRGP35B60PD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGP35B60PD_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGP35B60PD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 600V WARP2 150KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube