參數(shù)資料
型號： IRGP30B60KD-E
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
R
G
= 10
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
R
G
= 10
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
I
CE
= 30A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L = 200μH; V
CE
= 400V
I
CE
= 30A; V
GE
= 15V
0
20
40
60
80
IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
20
40
60
80
IC (A)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
E
EOFF
EON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
E
EON
EOFF
0
25
50
75
100
125
RG (
)
10
100
1000
10000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4050 PDP Switch
IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF PDP TRENCH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP30B60KD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B60KD-MP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK-247 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR OTHER 制造商:International Rectifier 功能描述:600V UltraFast 5-40kHz Copack IGBT
IRGP35B60PD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGP35B60PD_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGP35B60PD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 600V WARP2 150KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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