參數(shù)資料
型號(hào)： IRGP30B60KD-E
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E
4
www.irf.com
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 80μs
0
1
2
3
4
5
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0
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3
4
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VCE (V)
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20
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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5
VCE (V)
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20
30
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VF (V)
0
10
20
30
40
50
60
IF
-40°C
25°C
150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4050 PDP Switch
IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF PDP TRENCH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP30B60KD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B60KD-MP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK-247 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR OTHER 制造商:International Rectifier 功能描述:600V UltraFast 5-40kHz Copack IGBT
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IRGP35B60PD_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
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