參數(shù)資料
型號： IRG41BC30UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 8.9AI（丙）|至220FP
文件頁數(shù)： 8/10頁
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代理商： IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
8
www.irf.com
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
∫
Vce ie dt
t1
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VO LTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIO DE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
∫
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
W AVEFO RMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
Q rr =
trr
tx
id dt
Same type
device as
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
V
V
ge
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BAC50S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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IRG4BAC50W-SPBF 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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