參數(shù)資料
型號： IRG41BC30UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 8.9AI（丙）|至220FP
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代理商： IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
G
V
A
V = 400V
I = 12A
C E
T
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
R = 23
V = 15V
V = 480V
I = 24A
I = 12A
I = 6.0A
T
0.50
0.52
0.54
0.56
0.58
0.60
0
10
20
30
40
50
60
A
R , Gate Resistance (
)
V = 480V
V = 15V
T = 25
°
C
I = 12A
C
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相關PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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