參數(shù)資料
型號： IRG41BC30UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 8.9AI（丙）|至220FP
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 262K
代理商： IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
2
www.irf.com
Parameter
Q
g
Total Gate Charge (turn-on)
Qge
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Q
gc
Gate - Collector Charge (turn-on)
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
ts
Total Switching Loss
L
E
Internal Emitter Inductance
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
Min. Typ. Max. Units
–––
50
–––
8.1
–––
18
–––
40
–––
21
–––
91
–––
80
–––
0.38
–––
0.16
–––
0.54
–––
40
–––
22
–––
120
–––
180
–––
0.89
–––
7.5
–––
1100
–––
–––
73
–––
14
–––
42
–––
80
–––
3.5
–––
5.6
–––
80
–––
220
–––
180
–––
120
Conditions
I
C
= 12A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 12A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 23
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery.
See Fig. 9, 10, 11, 18
75
12
27
–––
–––
140
130
–––
–––
0.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
See Fig. 8
ns
mJ
T
J
= 150
°
C, See Fig. 9, 10, 11, 18
I
C
= 12A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 23
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery.
Measured 5mm from package
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
See Fig. 7
= 1.0MHz
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 14 I
F
= 12A
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 15 V
R
= 200V
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 16 di/dt 200A/μs
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 17
ns
mJ
nH
–––
–––
60
120
6.0
10
180
600
–––
–––
pF
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
di
(rec)M
/dt
Diode Peak Rate of Fall of Recovery
During t
b
A/μs
Parameter
V
(BR)CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
600
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
V
CE(on)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
0.63
–––
1.95
–––
2.52
–––
2.09
3.0
–––
-11
3.1
8.6
–––
–––
–––
–––
2500
–––
1.4
–––
1.3
–––
–––
±100
Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0mA
I
C
= 12A
I
C
= 23A
I
C
= 12A, T
J
= 150
°
C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
–––
–––
2.1
–––
–––
6.0
–––
mV/
°
C V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
–––
S
V
CE
= 100V, I
C
= 12A
250
μA
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150
°
C
1.7
V
I
C
= 12A
1.6
I
C
= 12A, T
J
= 150
°
C
nA
V
GE
= ±20V
V
V/
°
C
V
GE
= 15V
See Fig. 2, 5
V
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
Temperature Coeff. of Threshold Voltage
–––
g
fe
Forward Transconductance
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate Threshold Voltage
V
FM
Diode Forward Voltage Drop
See Fig. 13
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
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參數(shù)描述
IRG4BAC50S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W-S 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BAC50W-SPBF 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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