參數(shù)資料
型號(hào): IRG41BC30UD
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 8.9AI(丙)|至220FP
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代理商: IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
10
www.irf.com
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction temperature (figure 20)
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 23
(figure 19)
Pulse width
80μs; duty factor
0.1%.
Pulse width 5.0μs, single shot.
t = 60s, f = 60Hz
3- EMITTER
NOTES :
1 D IMEN SION ING & TOLER ANC IN G
PER ANS I Y14.5M, 1982
2 C ONTROLLING DIM EN SION : IN CH .
D
C
A
B
MINIM UM C REE PAGE
DIS TA NC E BETW EEN
A -B-C -D = 4.80 (.189)
3X
2.85 (.112)
2.65 (.104)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
4.80 (.189)
4.60 (.181)
7.10 (.280)
6.70 (.263)
3.40 (.133)
3.10 (.123)
- A -
3.70 (.145)
3.20 (.126)
1.15 (.045)
MIN.
3.30 (.130)
3.10 (.122)
- B -
0.90 (.035)
0.70 (.028)
3X
0.25 (.010)
M
A M B
2.54 (.100)
2X
3X
13.70 (.540)
13.50 (.530)
16.00 (.630)
15.80 (.622)
1 2 3
10.60 (.417)
10.40 (.409)
1.40 (.055)
1.05 (.042)
0.48 (.019)
0.44 (.017)
LEAD ASSIGMENTS
1- GATE
2- COLLECTOR
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE:
439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY:
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IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN:
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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