參數(shù)資料
型號(hào)： IRG41BC30UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 8.9AI（丙）|至220FP
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
4
www.irf.com
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 6
- Maximum IGBT Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE W IDTH
A
I = 24A
C
I = 12A
C
I = 6.0A
C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
4
8
12
16
20
M
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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