參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP064V
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=5.5mohm, Id=130A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 5.5mohm，身份證\u003d 130A的）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 210K
代理商： IRFP064V
IRFP064V
www.irf.com
7
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP1405 AUTOMOTIVE MOSFET
IRFP140N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFP140N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)
IRFP17N50LS Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
IRFP17N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP064VHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP064VPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 173.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP130 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP131 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
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