參數資料
型號： IRFP064V
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=5.5mohm, Id=130A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 5.5mohm，身份證\u003d 130A的）
文件頁數： 5/8頁
文件大小： 210K
代理商： IRFP064V
IRFP064V
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
140
T , Case Temperature
(°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
V
GS
+
-
V
DD
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
IRFP1405 AUTOMOTIVE MOSFET
IRFP140N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFP140N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)
IRFP17N50LS Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
IRFP17N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFP064VHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP064VPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 173.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP130 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP131 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*