參數(shù)資料
型號： IRFP064V
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=5.5mohm, Id=130A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 5.5mohm，身份證\u003d 130A的）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： IRFP064V
IRFP064V
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
150
300
450
600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
53A
92A
130A
TOP
相關PDF資料
PDF描述
IRFP1405 AUTOMOTIVE MOSFET
IRFP140N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFP140N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)
IRFP17N50LS Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
IRFP17N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP064VHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP064VPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 173.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP130 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP131 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
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