參數(shù)資料
型號(hào)： IGB03N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大小： 397K
代理商： IGB03N120H2
IGP03N120H2,
IGW03N120H2
IGB03N120H2
Power Semiconductors
6
Rev. 2, Mar-04
t
,
S
0A
2A
4A
1ns
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
,
S
0
50
100
150
1ns
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 82
,
dynamic test circuit in Fig.E)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 3A,
dynamic test circuit in Fig.E)
t
,
S
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
1ns
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
G
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
typ.
min.
max.
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 3A,
R
G
= 82
,
dynamic test circuit in Fig.E)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(
I
C
= 0.09mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGP03N120H2 HighSpeed 2-Technology
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參數(shù)描述
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IGB15N60T 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IGB15N60TATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 15A 130W TO263-3-2
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