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參數(shù)資料
| 型號： | IDT709279L12PFI8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 8/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 314K |
| 代理商： | IDT709279L12PFI8 |
6.42
IDT709279/69S/L
Preliminary
High-Speed 32/16K x 16 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
16
3243 drw 19
IDT709279/69
CE0
CE1
CE0
CE1
A15/A14(1)
CE1
CE0
VCC
IDT709279/69
Control Inputs
CNTRST
CLK
ADS
CNTEN
R/
W
OE
,
A Functional Description
The IDT709279/69 provides a true synchronous Dual-Port Static
RAM interface.Registeredinputsprovideminimalset-upandholdtimes
on address, data, and all critical control inputs. All internal registers are
clocked on the rising edge of the clock signal, however, the self-timed
internalwritepulseisindependentoftheLOWtoHIGHtransitionoftheclock
signal.
An asynchronous output enable is provided to ease asynchronous
bus interfacing. Counter enable inputs are also provided to stall the
operationoftheaddresscountersforfastinterleavedmemoryapplications.
AHIGHon CE0or a LOWon CE1foroneclockcyclewillpowerdown
the internal circuitry to reduce static power consumption. Multiple chip
enables allow easier banking of multiple IDT709279/69's for depth
expansionconfigurations.WhenthePipelinedoutputmodeisenabled,two
cycles are required with CE0 LOW and CE1 HIGH to re-activate the
outputs.
Depth and Width Expansion
The IDT709279/69 features dual chip enables (refer to Truth Table
I)inordertofacilitaterapidandsimpledepthexpansionwithnorequire-
mentsforexternallogic.Figure4illustrateshowtocontrolthevariouschip
enables in order to expand two devices in depth.
The IDT709279/69 can also be used in applications requiring ex-
panded width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated at
thediscretionoftheuser,theexternalcontrollercanbesetuptodrivethe
input signals for the various devices as required to allow for 32-bit
orwiderapplications.
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT709279/69
NOTE:
1. A14 is for IDT709269.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 70C100BFIL | 110 A, SCR, TO-208AD |
| 70C100BIL | 110 A, SCR, TO-209AC |
| 70C120BFIL | 110 A, SCR, TO-208AD |
| 70C120BIL | 110 A, SCR, TO-209AC |
| 70C50BFIL | 110 A, SCR, TO-208AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT709279L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT709279L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT709279L9PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT709279L9PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT709279L9PFG | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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