參數(shù)資料
型號： IDT709279L12PFI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁數(shù)： 13/18頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： IDT709279L12PFI8
6.42
IDT709279/69S/L
Preliminary
High-Speed 32/16K x 16 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
4
NOTES:
1. "H" = VIH, "L" = VIL, "X" = Don't Care.
2. CE0, LB, UB, and OE = VIL; CE1 and R/W = VIH.
3. Outputs configured in Flow-Through Output mode: if outputs are in Pipelined mode the data out will be delayed by one cycle.
4. ADS is independent of all other signals including CE0, CE1, UB and LB.
5. The address counter advances if CNTEN = VIL on the rising edge of CLK, regardless of all other signals including CE0, CE1, UB and LB.
RecommendedOperating
Temperature and Supply Voltage(1)
Recommended DC Operating
Conditions
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. VTERM must not exceed VCC + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > VCC + 10%.
3. Ambient Temperature Under Bias. No AC Conditions. Chip Deselect.
Absolute Maximum Ratings(1)
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. COUT also references CI/O.
Capacitance(1)
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)
Truth Table II—Address Counter Control(1,2)
NOTES:
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
NOTES:
1. VTERM must not exceed VCC + 10%.
2. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
External
Address
Previous
Internal
Address
Internal
Address
Used
CLK
ADS
CNTEN
CNTRST
I/O(3)
MODE
An
X
An
↑
L(4)
XH
DI/O (n)
External Address Used
XAn
An + 1
↑
H
L(5)
HDI/O(n+1)
Counter Enabled—Internal Address generation
X
An + 1
↑
HH
H
DI/O(n+1)
External Address Blocked—Counter disabled (An + 1 reused)
XX
A0
↑
XX
L(4)
DI/O(0)
Counter Reset to Address 0
3243 tbl 03
Grade
Ambient
Temperature
GND
VCC
Commercial
0OC to +70OC0V
5.0V
+ 10%
Industrial
-40OC to +85OC0V
5.0V
+ 10%
3243 tbl 04
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
V
VIH
Input High Voltage
2.2
____
6.0(1)
V
VIL
Input Low Voltage
-0.5(2)
____
0.8
V
3243 tbl 05
Symbol
Parameter
Conditions(2)
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
9
pF
COUT(2)
Output Capacitance
VOUT = 0V
10
pF
3243 tbl 07
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
VTERM(2)
Terminal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
TBIAS
TemperatureUnder Bias
-55 to +125
o
C
TSTG
Storage Temperature
-65 to +150
o
C
TJN
Junction Temperature
+150
o
C
IOUT
DC Output Current
50
mA
3243 tbl 06
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PDF描述
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70C120BFIL 110 A, SCR, TO-208AD
70C120BIL 110 A, SCR, TO-209AC
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參數(shù)描述
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IDT709279L9PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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