參數(shù)資料
型號(hào)： IDT709279L12PFI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 11/18頁(yè)
文件大?。?/td> 314K
代理商： IDT709279L12PFI8
6.42
IDT709279/69S/L
Preliminary
High-Speed 32/16K x 16 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2
Description
The IDT709279/69 is a high-speed 32/16K x 16 bit synchronous
Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to
allowsimultaneousaccessofanyaddressfrombothports.Registerson
control,data,andaddressinputsprovideminimalsetupandholdtimes.
The timing latitude provided by this approach allows systems to be
designed with very short cycle times.
Pin Configurations(2,3,4)
Withaninputdataregister,theIDT709279/69hasbeenoptimizedfor
applicationshavingunidirectionalorbidirectionaldataflowinbursts.An
automatic power down feature, controlled by CE0and CE1, permits the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 950mW of power.
Index
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100 99 9897 9695 94 9392 9190 8988 87 86 8584 8382 81 80 79 7877 76
IDT709279/69PF
PN100-1(5)
100-Pin TQFP
Top View(6)
3243 drw 02
I/O15L
OEL
R/
WL
CNTRSTL
CE1L
CE0L
VCC
NC
A14L(1)
A13L
NC
A12L
A11L
A10L
A9L
I/O10L
I/O11L
I/O12L
I/O13L
I/O14L
UBL
LBL
GND
I/
O
6
R
I/
O
5
R
FT/PIPER
OER
R/
WR
CNTRSTR
CE1R
CE0R
NC
GND
A12R
A13R
A11R
A10R
A9R
A14R(1)
NC
I/O10R
I/O11R
I/O12R
I/O13R
I/O14R
I/O15R
GND
UBR
LBR
I/
O
4
R
I/
O
3
R
I/
O
2
R
I/
O
0
R
I/
O
0
L
I/
O
IL
G
N
D
I/
O
2
L
I/
O
4
L
I/
O
5
L
I/
O
6
L
I/
O
7
L
I/
O
3
L
I/
O
1
R
I/
O
7
R
N
C
I/
O
8
R
I/
O
9
R
I/
O
8
L
I/
O
9
L
FT/PIPEL
A
8
R
A
7
R
A
8
L
A
7
L
A
6
R
A
5
R
A
4
R
A
3
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A
2
R
A
1
R
A
0
R
C
N
T
E
N
R
C
L
K
R
A
D
S
R
A
D
S
L
C
L
K
L
C
N
T
E
N
L
A
0
L
G
N
D
A
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L
A
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L
A
5
L
A
6
L
A
1
L
A
4
L
G
N
D
V
C
V
C
,
01/15/04
NOTES:
1. A14X is a NC for IDT709269.
2. All VCC pins must be connected to power supply.
3. All GND pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
70C100BFIL 110 A, SCR, TO-208AD
70C100BIL 110 A, SCR, TO-209AC
70C120BFIL 110 A, SCR, TO-208AD
70C120BIL 110 A, SCR, TO-209AC
70C50BFIL 110 A, SCR, TO-208AD
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參數(shù)描述
IDT709279L15PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT709279L15PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:70V25S15PF
IDT709279L9PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT709279L9PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT709279L9PFG 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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