參數(shù)資料
型號(hào)： IDT709279L12PFI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 14/18頁(yè)
文件大?。?/td> 314K
代理商： IDT709279L12PFI8
6.42
IDT709279/69S/L
Preliminary
High-Speed 32/16K x 16 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
5
NOTES:
1. At f = fMAX, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/tCYC, using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. VCC = 5V, TA = 25°C for Typ, and are not production tested. ICC DC(f=0) = 150mA (Typ).
5. CEX = VIL means CE0X = VIL and CE1X = VIH
CEX
= VIH means CE0X = VIH or CE1X = VIL
CEX
< 0.2V means CE0X < 0.2V and CE1X > VCC - 0.2V
CEX
> VCC - 0.2V means CE0X > VCC - 0.2V or CE1X < 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. 'X' in part numbers indicate power rating (S or L).
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range(6) (VCC = 5V ± 10%)
709279/69X6
Com'l Only
709279/69X7
Com'l Only
709279/69X9
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.(4)
Max.
Typ.(4)
Max.
Typ.(4)
Max.
Unit
ICC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CEL
and CER= VIL
Outputs Disabled
f = fMAX(1)
COM'L
S
L
270
585
525
250
490
440
210
390
350
mA
IND
S
L
____
ISB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CEL
= CER = VIH
f = fMAX(1)
COM'L
S
L
80
205
175
65
170
145
50
135
115
mA
IND
S
L
____
ISB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE"A"
= VIL and
CE"B"
= VIH(3)
Active Port Outputs
Disabled, f=fMAX(1)
COM'L
S
L
180
405
360
160
340
295
140
270
240
mA
IND
S
L
____
ISB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Both Ports CER and
CEL
> VCC - 0.2V
VIN > VCC - 0.2V or
VIN < 0.2V, f = 0(2)
COM'L
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
IND
S
L
____
ISB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE"A"
< 0.2V and
CE"B"
> VCC - 0.2V(5)
VIN > VCC - 0.2V or
VIN < 0.2V, Active Port Outputs
Disabled, f = fMAX(1)
COM'L
S
L
170
395
340
150
330
290
130
245
225
mA
IND
S
L
____
3243 tbl 09
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature Supply Voltage Range (VCC = 5.0V ± 10%)
NOTE:
1. At VCC < 2.0V input leakages are undefined.
Symbol
Parameter
Test Conditions
709279/69S/L
Unit
Min.
Max.
|ILI|
Input Leakage Current(1)
VCC = 5.5V, VIN = 0V to VCC
___
10
A
|ILO|
Output Leakage Current
CE0 = VIH or CE1 = VIL, VOUT = 0V to VCC
___
10
A
VOL
Output Low Voltage
IOL = +4mA
___
0.4
V
VOH
Output High Voltage
IOH = -4mA
2.4
___
V
3243 tbl 08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
70C100BFIL 110 A, SCR, TO-208AD
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70C120BFIL 110 A, SCR, TO-208AD
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參數(shù)描述
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IDT709279L9PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT709279L9PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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