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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S256160T |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆比特同步DRAM（256M位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 45/46頁 |
| 文件大小： | 594K |
| 代理商： | HYB39S256160T |
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H
2
CLK
CKE
CS
DQ
RAS
CAS
WE
BS
DQM
18.2 Random Row Write (Interleaving Banks) with Precharge
T2
T3
T4
T0
T1
T6
T7
T8
T9
T5
T11
T12
T13
T14
T10
T16
T17
T18
T19
T15
T22
T20
T21
Hi-Z
AP
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
Addr
t
CK3
High
DAx0
DAx3
DAx2
DAx1
DAx4
DAx7
DAx6
DAx5
DBx0
DBx3
DBx2
DBx1
DBx4
DBx7
DBx6
DBx5
DAy2
DAy1
DAy0
Write
Command
Bank A
CAX
Activate
Command
Bank A
RAx
RAx
Activate
Command
Bank B
RBx
RBx
Activate
Command
Bank A
RAy
RAy
DAy3
t
WR
CBx
Write
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank A
Write
Command
Bank A
CAy
Precharge
Command
Bank B
t
RP
t
WR
t
RCD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S256800 | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB39S256400DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-75 | Polypropylene metallized tape wrap and epoxy filled - Snubber |
| HYB39S256400DC-8 | 256 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256160T-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S256160TC-3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-37 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
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