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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S256160T |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆比特同步DRAM（256M位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 21/46頁 |
| 文件大小： | 594K |
| 代理商： | HYB39S256160T |
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HYB39S256400/800/160AT
256 MBit Synchronous DRAM
21
1. Bank Activate Command Cycle
(CAS latency = 3)
2. Burst Read Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
ADDRESS
CLK
T0
T
T1
T
T
T
T
COMMAND
NOP
NOP
NOP
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
Write A
with Auto
Bank A
Col. Addr.
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
Bank B
Activate
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
t
RCD
: “H” or “L”
t
RC
t
RRD
Bank B
Row Addr.
COMMAND
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S256800 | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動態(tài)RAM) |
| HYB39S256400DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-75 | Polypropylene metallized tape wrap and epoxy filled - Snubber |
| HYB39S256400DC-8 | 256 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256160T-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S256160TC-3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-37 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
| HYB39S256160TC-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM |
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