參數(shù)資料
型號： HYB25D512800BE-6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù)： 68/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商： HYB25D512800BE-6
0.72
1.25
Data Sheet
68
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Normal Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
Clock Half Period
t
HP
min. (
t
CL
,
t
CH
)
min. (
t
CL
,
t
CH
)
12
min. (
t
CL
,
t
CH
)
ns
2)3)4)5)
Clock cycle time
t
CK
5
12
6
7
12
ns
CL = 3.0
2)3)4)5)
6
12
6
12
7
12
ns
CL = 2.5
2)3)4)5)
7.5
12
7.5
12
7.5
12
ns
CL = 2.0
2)3)4)5)
DQ and DM input hold time
DQ and DM input setup time
Control and Addr. input pulse
width (each input)
DQ and DM input pulse width
(each input)
Data-out high-impedance time
from CK/CK
Data-out low-impedance time
from CK/CK
Write command to 1
st
DQS
latching transition
DQS-DQ skew (DQS and
associated DQ signals)
t
DH
t
DS
t
IPW
0.4
0.4
2.2
—
—
—
0.45
0.45
2.2
—
—
—
0.5
0.5
2.2
—
—
—
ns
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
t
DIPW
1.75
—
1.75
—
1.75
—
ns
2)3)4)5)6)
t
HZ
+0.7
–0.7
+0.7
+0.75
ns
2)3)4)5)7)
t
LZ
–0.7
+0.7
–0.7
+0.7
–0.75
+0.75
ns
2)3)4)5)7)
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
t
CK
2)3)4)5)
t
DQSQ
—
+0.40
—
+0.40
—
+0.5
ns
TFBGA
2)3)4)5)
—
+0.40
—
+0.45
—
0.5
ns
TSOPII
2)3)4)5)
Data hold skew factor
t
QHS
—
+0.50
—
+0.50
—
+0.75
ns
TFBGA
2)3)4)5)
—
+0.50
—
+0.55 —
+0.75
ns
TSOPII
2)3)4)5)
DQ/DQS output hold time
DQS input low (high) pulse width
(write cycle)
DQS falling edge to CK setup
time (write cycle)
DQS falling edge hold time from
CK (write cycle)
Mode register set command cycle
time
Write preamble setup time
Write postamble
Write preamble
t
QH
t
DQSL,H
t
HP
–
t
QHS
0.35
ns
t
CK
2)3)4)5)
—
0.35
—
0.35
—
2)3)4)5)
t
DSS
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
DSH
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
MRD
2
—
2
—
2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
0
0.40
0.25
—
0.60
—
0
0.40
0.25
—
0.60
—
0
0.40
0.25
—
0.60
—
ns
t
CK
t
CK
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
AC Timing - Absolute Specifications for PC3200, PC2700 and PC2100
Parameter
Symbol –5
–6
DDR333
Min.
–7
DDR266A
Min.
Unit
Note/ Test
Condition
1)
DDR400B
Min.
Max.
Max.
Max.
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PDF描述
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
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