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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512800BE-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 34/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512800BE-6 |
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HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
34
Rev. 1.2, 2004-06
Figure 11
Consecutive Read Bursts: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
NOP
Read
NOP
NOP
NOP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL=2
BAa, COL n
BAa, COL b
Don’t Care
DO a-
n
(or a-
b
) = data out from bank a, column
n
(or bank a, column
b
).
When burst length = 4, the bursts are concatenated.
When burst length = 8, the second burst interrupts the first.
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-
n
.
3 (or 7) subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-
b
.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
CAS Latency = 2.5
NOP
Read
NOP
NOP
NOP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL=2.5
BAa, COL n
BAa,COL b
DOa-n
DOa- n
DOa- b
DOa-b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512160BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| HYB25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L128160AC | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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