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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512800BE-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 50/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512800BE-6 |
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HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Data Sheet
50
Rev. 1.2, 2004-06
Figure 26
Write to Precharge: Non-Interrupting (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(max)
NOP
NOP
NOP
NOP
Write
DI a-
b
PRE
DI a-
b
= data in for bank a, column
b
.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-
b
.
A non-interrupted burst is shown.
t
WR
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
Maximum DQSS
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
NOP
Write
PRE
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
Minimum DQSS
DI a-
b
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
t
RP
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512160BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160TE-3 | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
| HYB25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L128160AC | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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