參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D512800BE-6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁(yè)數(shù)： 4/90頁(yè)
文件大?。?/td> 3191K
代理商： HYB25D512800BE-6
Template: mp_a4_v1.0_2003-04-25.fm
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T], HYB25D512[40/80/16]0B[E/F],
Revision History:
Rev. 1.2
Previous Version:
Rev. 1.1
Page
Subjects (major changes since last revision)
1
Editorial Change
67
Added AC Timing Table
2004-06
2004-06
We Listen to Your Comments
Any information within this document that you feel is wrong, unclear or missing at all
Your feedback will help us to continuously improve the quality of this document.
Please send your proposal (including a reference to this document) to:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB25L128160AC-75 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES
HYB25L128160AC 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。