參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D512400BE-6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù)： 47/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商： HYB25D512400BE-6
Data Sheet
47
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Figure 23
Write to Read: Interrupting (CAS Latency = 2; Burst Length = 8)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(max)
Maximum DQSS
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
DI a-
b
= data in for bank a, column
b
.
An interrupted burst is shown, 4 data elements are written.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-
b
.
t
WTR
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
The Read command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
The Read and Write commands are not necessarily to the same bank.
1 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
DIa-
b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL n
t
WTR
CL = 2
T1
T2
T3
T4
T5
T6
Minimum DQSS
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
BAa, COL b
BAa, COL n
t
WTR
DI a-
b
DQS
DQ
DM
CL = 2
t
DQSS
(min)
1
1
1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
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HYB25L128160AC-75 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES
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