參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D512400BE-6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁(yè)數(shù)： 45/90頁(yè)
文件大?。?/td> 3191K
代理商： HYB25D512400BE-6
Data Sheet
45
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Figure 21
Random Write Cycles (Burst Length = 2, 4 or 8)
T1
T2
T3
T4
T5
t
DQSS
(max)
Maximum DQSS
Write
Write
Write
Write
Write
DI
a-b
DI
a-n
DI a-
b
, etc. = data in for bank a, column
b
, etc.
b'
, etc. = odd or even complement of
b
, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Each Write command may be to any bank.
DI
a-b’
DI
a-x
DI
a-x’
DI
a-n’
DI
a-a
DI
a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
T1
T2
T3
T4
T5
Minimum DQSS
Write
Write
Write
Write
Write
DI
a-b
DI
a-n
DI
a-b’
DI
a-x
DI
a-x’
DI
a-n’
DI
a-a
DI
a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
t
DQSS
(min)
DI
a-g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB25L128160AC-75 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES
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