參數(shù)資料
型號: HYB25D512400BE-6
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述: 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù): 33/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商: HYB25D512400BE-6
Data Sheet
33
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Figure 10
Read Burst: CAS Latencies (Burst Length = 4)
CAS Latency = 2
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
CAS Latency = 2.5
Don’t Care
BA a,COL n
DOa-n
CL=2.5
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
BA a,COL n
DOa-n
DO a-n = data out from bank a, column n.
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
CL=2
相關PDF資料
PDF描述
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB25L128160AC-75 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512400BR-7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT
HYB25D512400CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: