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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512400AT-7 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 55/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512400AT-7 |
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Data Sheet
55
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
3.5.5
Power-down is entered when CKE is registered LOW (no accesses can be in progress). If power-down occurs
when all banks are idle, this mode is referred to as pre charge power-down; if power-down occurs when there is
a row active in any bank, this mode is referred to as active power-down. Entering power-down deactivates the
input and output buffers, excluding CK, CK and CKE. The DLL is still running in Power Down mode, so for
maximum power savings, the user has the option of disabling the DLL prior to entering Power-down. In that case,
the DLL must be enabled after exiting power-down, and 200 clock cycles must occur before a Read command can
be issued. In power-down mode, CKE Low and a stable clock signal must be maintained at the inputs of the DDR
SDRAM, and all other input signals are “Don’t Care”. However, power-down duration is limited by the refresh
requirements of the device, so in most applications, the self refresh mode is preferred over the DLL-disabled
power-down mode.
The power-down state is synchronously exited when CKE is registered HIGH (along with a NOP or Deselect
command). A valid, executable command may be applied one clock cycle later.
Power-Down
Figure 31
Power Down
t
IS
t
IS
CK
CK
CKE
Command
No column
access in
progress
VALID
NOP
VALID
Don’t Care
Exit
power down
mode
Enter Power Down mode
(Burst Read or Write operation
must not be in progress)
NOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512800BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512800BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512400BR-7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT |
| HYB25D512400CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
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