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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D128800T-7 |
| 英文描述： | ?128Mb (16Mx8) DDR 266A (2-3-3)? |
| 中文描述： | ？128Mb的（16Mx8復(fù)員266A章）（2-3-3）？ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/76頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1218K |
| 代理商： | HYB25D128800T-7 |
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2002-05-06
Page 35 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Write to Read: Non-Interrupting (CAS Latency = 2; Burst Length = 4)
CL = 2
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
W
TR
N
OP
N
OP
N
OP
Read
W
rite
DI a-b
N
OP
DI a-b = data in for bank a, column b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
A non-interrupted burst is shown.
t
W
TR
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
A10 is Low with the
W
rite command (Auto Precharge is disabled).
The Read and
W
rite commands may be to any bank.
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
Maximum DQSS
BAa, COL b
BAa, COL n
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
W
TR
N
OP
N
OP
N
OP
Read
W
rite
N
OP
CK
CK
Command
Address
Minimum DQSS
BAa, COL b
BAa, COL n
t
DQSS
(max)
DI a-b
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
CL = 2
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PDF描述 |
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